金属酸化物層の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (4)：長谷川芳樹 , 黒木義樹 , 三上敬史 , 石坂泰紀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008222471
Publication number (International publication number)：2010056454
Application date： Aug. 29, 2008
Publication date： Mar. 11, 2010
Summary：

【課題】金属酸化物層の表面のアモルファス層を低減し、金属酸化物層の誘電率を向上させること。【解決手段】金属酸化物の前駆体層を分解して金属酸化物層を形成する工程と、金属酸化物層にレーザを照射して前記金属酸化物層を結晶化する工程と、結晶化された金属酸化物層に対して、10〜300Hzの間隔で、最初のパルスの照射フルエンスを60〜100mJ/cm2とし、最後のパルスの照射フルエンスを10mJ/cm2以下とし、照射フルエンスの減少速度Vが-150≦V[mJ/(cm2min)]<0となるように、各パルスの照射フルエンスを減少させながらパルスレーザを照射する除冷工程と、を備える金属酸化物層の製造方法。【選択図】図7

Claim (excerpt)：

金属酸化物の前駆体層を分解して金属酸化物層を形成する工程と、前記金属酸化物層にレーザを照射して前記金属酸化物層を結晶化する工程と、前記結晶化された金属酸化物層に対して、10〜300Hzの間隔で、最初のパルスの照射フルエンスを60〜100mJ/cm2とし、最後のパルスの照射フルエンスを10mJ/cm2以下とし、照射フルエンスの減少速度Vが-150≦V[mJ/(cm2min)]<0となるように、各パルスの照射フルエンスを減少させながらパルスレーザを照射する除冷工程と、を備える金属酸化物層の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/316 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 21/822 , H01L 27/04

FI (3)：

H01L21/316 B , H01L27/10 444C , H01L27/04 C

F-Term (36)：

5E082AB01 , 5E082BB07 , 5E082EE05 , 5E082EE23 , 5E082FF05 , 5E082FG03 , 5E082FG27 , 5F038AC05 , 5F038AC15 , 5F038AC17 , 5F038AC18 , 5F038EZ14 , 5F038EZ17 , 5F038EZ20 , 5F058BA20 , 5F058BB04 , 5F058BC03 , 5F058BD02 , 5F058BD05 , 5F058BF46 , 5F058BH01 , 5F058BH17 , 5F058BJ03 , 5F083FR00 , 5F083GA27 , 5F083HA06 , 5F083JA14 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA42 , 5F083JA45 , 5F083JA56 , 5F083PR23 , 5F083PR34

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

金属酸化物膜の製造方法、積層体、及び、電子デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-161753 Applicant：TDK株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所

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