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J-GLOBAL ID：201003064803297392

放射線検出素子用のシリコンカーバイド及び放射線検出方法

Inventor： 松浦 秀治
Applicant, Patent owner： 学校法人 大阪電気通信大学
Agent (2)： 河野 登夫 ,  河野 英仁
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2007065727
Publication number (International publication number)：WO2009022377
Application date： Aug. 10, 2007
Publication date： Feb. 19, 2009
Summary：

放射線検出用素子を提供する。 高純度であり半絶縁性を有するSiCを放射線検出用素子として用いる。SiC1の一方の面に半径が1.25mm程度の円形状のX線の検出面としての電極2を形成する。SiC1の他方の面の中央部に電極3を形成し、電極2、3の間に所定の直流電圧を印加する。電極2に入射したX線によりSiC1内で生成された電子が電極3に集められ、電極3より増幅器20へ電気信号が出力される。増幅器20は、入力された電気信号を増幅して生成された電子の数に応じた電圧を多重波高分析器へ出力する。

Claim (excerpt)：

高純度かつ半絶縁性を有することを特徴とする放射線検出素子用のシリコンカーバイド。

IPC (2)：

H01L 31/09 ,  G01T 1/24

FI (2)：

H01L31/00 A ,  G01T1/24

F-Term (10)：

2G088GG21 ,  5F088AA11 ,  5F088AB03 ,  5F088BA01 ,  5F088BA03 ,  5F088BA04 ,  5F088BA15 ,  5F088BA20 ,  5F088BB06 ,  5F088LA08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 窒化物半導体構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-326521   Applicant：日本電信電話株式会社