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J-GLOBAL ID:201003066476842570

熱電変換素子、熱電変換モジュール及び熱電変換素子の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 正林 真之
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2009010146
Publication number (International publication number):2010171071
Application date: Jan. 20, 2009
Publication date: Aug. 05, 2010
Summary:
【課題】安価であり組み立て容易な熱電変換素子、熱電変換モジュール及び熱電変換素子の製造方法を提供する。【解決手段】熱電変換モジュール10は、各第1熱電変換素子21が第1及び第2電極2c・2dと一対の主面2a・2bに設けた絶縁層3・3を有する。一方の導電層4は第1電極2cから主面2bに設けた絶縁層3に延在し、他方の導電層4は第2電極2dから主面2aに設けた絶縁層3に延在する。隣接する各第1熱電変換素子21・21を密着させて、第1熱電変換素子21の第1及び第2電極2c・2dが当該第1熱電変換素子21とは異なる他の電極と直列に接続している。隣接する各第2熱電変換素子22・22及び各第3熱電変換素子23・23を互いに密着してそれらの第1及び第2電極2c・2dを直列に接続している。第1から第3熱電変換素子21〜23の一方の面が加熱面として規定され、他方の面が冷却面として規定される。【選択図】図1
Claim (excerpt):
焼結体セルと、 この焼結体セルを構成する面に設けられる電極と、 この焼結体セルの少なくとも一つの面に設けられる絶縁層と、 前記電極が設けられた面に設けられ、この電極が設けられた面から前記絶縁層が設けられた面に延在する導電層と、を備える熱電変換素子。
IPC (3):
H01L 35/32 ,  H01L 35/34 ,  H02N 11/00
FI (3):
H01L35/32 A ,  H01L35/34 ,  H02N11/00 A
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
  • 熱電モジュール
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2008-094082   Applicant:TDK株式会社
  • 特開平3-066182

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