磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ

Inventor： , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：吉武賢次 , 佐藤泰和 , 吉元弘 , 川崎康
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008248633
Publication number (International publication number)：2010080746
Application date： Sep. 26, 2008
Publication date： Apr. 08, 2010
Summary：

【課題】記憶層にかかる漏れ磁界を可及的に低減することを可能にする。【解決手段】膜面に垂直方向の磁気異方性を有する強磁性層10と、強磁性層上に設けられた第1の非磁性層8と、第1の非磁性層上に設けられ、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有するとともに前記強磁性層の磁化の向きと反平行の磁化を有し、かつ強磁性層の積層方向の膜厚の1/2.8以上1/1.5以下の膜厚を有する参照層6と、参照層上に設けられた第2の非磁性層8と、第2の非磁性層上に設けられ、膜面に垂直方向の磁気異方性を有しスピン偏極した電子の作用により磁化の方向が変化する記憶層2と、を備えている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

膜面に垂直方向の磁気異方性を有する強磁性層と、前記強磁性層上に設けられた第1の非磁性層と、前記第1の非磁性層上に設けられ、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有するとともに前記強磁性層の磁化の向きと反平行の磁化を有し、かつ前記強磁性層の積層方向の膜厚の1/2.8以上1/1.5以下の膜厚を有する参照層と、前記参照層上に設けられた第2の非磁性層と、前記第2の非磁性層上に設けられ、膜面に垂直方向の磁気異方性を有しスピン偏極した電子の作用により磁化の方向が変化する記憶層と、を備えていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (4)：

H01L 43/08 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , G11C 11/15

FI (3)：

H01L43/08 Z , H01L27/10 447 , G11C11/15 110

F-Term (29)：

4M119AA10 , 4M119BB01 , 4M119BB03 , 4M119CC05 , 4M119DD06 , 4M119DD17 , 4M119EE23 , 4M119EE27 , 4M119HH01 , 4M119HH04 , 5F092AB08 , 5F092AC08 , 5F092AC12 , 5F092AD12 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB23 , 5F092BB31 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB43 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC32 , 5F092BC42 , 5F092BC46 , 5F092BE12 , 5F092BE21 , 5F092BE27

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

磁気ランダムアクセスメモリ、電子カードおよび電子装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-178417 Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (4)

磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、電子カード及び電子装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-172845 Applicant：株式会社東芝
磁気抵抗素子、該磁気抵抗素子を用いたメモリ素子及び該メモリ素子の記録再生方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-078472 Applicant：キヤノン株式会社
スピン・トランスファによる垂直磁化磁気素子
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2007-500779 Applicant：グランディスインコーポレイテッド

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