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J-GLOBAL ID：201003070794865447

光検出器およびそれを備えた光集積回路装置

Inventor：
横山 新

About 横山 新


Applicant, Patent owner：
国立大学法人広島大学

About 国立大学法人広島大学


Agent (1)： 松山 隆夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009057428
Publication number (International publication number)：2010212469
Application date： Mar. 11, 2009
Publication date： Sep. 24, 2010
Summary：
【課題】暗電流を低減でき、かつ、高速応答が可能な光検出器を提供する。【解決手段】n+型c-Ge層2、i型c-Ge層3およびp+型c-Ge層4が光導波路30に近接してシリコン基板1上に積層される。光導波路30は、クラッド20に接してクラッド20上に形成されている。n+型c-Ge層2の膜厚(0.6μm)がクラッド20の厚み(1.4μm)よりも薄く、かつ、n+型c-Ge層2の膜厚とi型c-Ge層3の膜厚との合計(2.0μm)がクラッド20の厚みと光導波路30の厚みとの合計(1.7μm)よりも大きい。その結果、光導波路30中を伝搬する光は、光検出器10のi型c-Ge層3へ入射され、n+型c-Ge層2およびp+型c-Ge層4へ入射されない。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
半導体基板と、 前記半導体基板の面内方向において前記半導体基板上の光導波路に近接して前記光導波路に略平行に配置され、前記半導体基板の材料と異なる半導体材料からなる光検出素子とを備え、 前記光検出素子は、 第1の導電型を有し、キャリア濃度を制御するための不純物の濃度が欠陥による暗電流の増加を防止可能な第1のしきい値以上である第1の半導体層と、 前記第1の半導体層に接して形成されるとともに、前記第1の導電型と異なる第2の導電型を有し、前記ドーパントの濃度が第2のしきい値以下である第2の半導体層と、 前記第2の半導体層に接して形成されるとともに、前記第1および第2の導電型と異なる第3の導電型を有し、前記ドーパントの濃度が前記第1のしきい値以上である第3の半導体層とを含み、 前記第2のしきい値は、第1および第3の半導体層によって前記第2の半導体層に印加される電界が前記第2の半導体層の全体に分布する前記不純物の濃度の最大値であり、 前記第1および第3の半導体層の各々は、前記光導波路からの光を受けず、 前記第2の半導体層は、前記光導波路からの光を受け、その受けた光を電気に変換する、光検出器。
IPC (3)：
H01L 31/10 ,  H01L 31/023 ,  G02B 6/122
FI (3)：
H01L31/10 A ,  H01L31/02 C ,  G02B6/12 B
F-Term (47)：
2H147AB04 ,  2H147AB05 ,  2H147AC01 ,  2H147EA10D ,  2H147EA12D ,  2H147EA13A ,  2H147EA13C ,  2H147EA14B ,  2H147EA14D ,  2H147FA05 ,  2H147FA17 ,  2H147FC02 ,  2H147FF04 ,  2H147FF06 ,  2H147FF07 ,  2H147GA08 ,  5F049MA04 ,  5F049MB03 ,  5F049NA03 ,  5F049NA05 ,  5F049NB01 ,  5F049PA03 ,  5F049PA05 ,  5F049PA10 ,  5F049PA14 ,  5F049QA01 ,  5F049QA20 ,  5F049RA10 ,  5F049SS03 ,  5F049TA11 ,  5F049TA20 ,  5F049UA20 ,  5F088AA02 ,  5F088AB03 ,  5F088BA02 ,  5F088BA04 ,  5F088BB01 ,  5F088CB03 ,  5F088CB05 ,  5F088CB10 ,  5F088CB14 ,  5F088DA01 ,  5F088DA20 ,  5F088EA20 ,  5F088GA03 ,  5F088JA11 ,  5F088JA20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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