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J-GLOBAL ID：201003079843802518

ダイヤモンド半導体素子

Inventor： 小山 和博 ,  李 成奇 ,  大串 秀世 ,  山崎 聡 ,  小倉 政彦 ,  竹内 大輔 ,  牧野 俊晴 ,  加藤 宙光 ,  徳田 規夫
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Agent (2)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008191263
Publication number (International publication number)：2010028052
Application date： Jul. 24, 2008
Publication date： Feb. 04, 2010
Summary：

【課題】pn接合において整流性を保った状態で高出力化が図れるダイヤモンド半導体素子を提供すること。【解決手段】ダイヤモンド半導体層からなり、p型のα層2とn型のβ層3とを接触させて配されたダイヤモンド半導体素子10であって、α層2及びβ層3における電流の伝導機構が、何れも300Kの温度においてホッピング伝導であり、α層2とβ層3とを貫通する方向に電流を流した際に、電流-電圧の出力特性が整流性を示すこと。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ダイヤモンド半導体層からなり、p型のα層とn型のβ層とを接触させて配されたダイヤモンド半導体素子であって、 前記α層及び前記β層における電流の伝導機構が、何れも300Kの温度においてホッピング伝導であり、前記α層と前記β層とを貫通する方向に電流を流した際に、電流-電圧の出力特性が整流性を示すことを特徴とするダイヤモンド半導体素子。

IPC (2)：

H01L 29/861 ,  H01L 21/28

FI (2)：

H01L29/91 F ,  H01L21/28 301B

F-Term (3)：

4M104AA10 ,  4M104GG02 ,  4M104HH20