Pat

J-GLOBAL ID：201003080405610477

AlN結晶の製造方法、AlN基板の製造方法および圧電振動子の製造方法

Inventor： 宮永 倫正 ,  谷崎 圭祐 ,  佐藤 一成 ,  山本 喜之
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (7)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008207230
Publication number (International publication number)：2010042950
Application date： Aug. 11, 2008
Publication date： Feb. 25, 2010
Summary：

【課題】結晶性を向上するAlN結晶の製造方法、AlN基板の製造方法および圧電振動子の製造方法を提供する。【解決手段】AlN結晶10の製造方法は、AlN下地基板11を準備する工程と、AlN下地基板11上にAlN結晶10を成長する工程と、AlN結晶10からAlN下地基板11を分離する工程とを備えている。AlN下地基板11およびAlN結晶10の一方は、280nm以下の波長の光に対して吸収係数が100cm-1以上である。AlN下地基板11およびAlN結晶10の他方は、220nm以上280nm以下の波長の少なくとも一部の波長域の光に対して吸収係数が100cm-1未満である。上記分離する工程では、AlN下地基板11およびAlN結晶10のうち吸収係数が低い他方側から光を照射する。【選択図】図5

Claim (excerpt)：

AlN下地基板を準備する工程と、 前記AlN下地基板上にAlN結晶を成長する工程と、 前記AlN結晶から前記AlN下地基板を分離する工程とを備え、 前記AlN下地基板および前記AlN結晶の一方は、280nm以下の波長の光に対して吸収係数が100cm-1以上であり、前記AlN下地基板および前記AlN結晶の他方は、220nm以上280nm以下の波長の少なくとも一部の波長域の光に対して吸収係数が100cm-1未満であり、 前記分離する工程では、前記AlN下地基板および前記AlN結晶のうち吸収係数が低い他方側から光を照射する、AlN結晶の製造方法。

IPC (7)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/20 ,  C23C 14/06 ,  H01L 21/205 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/24

FI (8)：

C30B29/38 C ,  C30B25/20 ,  C23C14/06 A ,  H01L21/205 ,  H01L41/08 C ,  H01L41/18 101A ,  H01L41/08 L ,  H01L41/22 A

F-Term (30)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB04 ,  4G077BE13 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077EB01 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA01 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK11 ,  4K029AA04 ,  4K029AA24 ,  4K029BA58 ,  4K029BB07 ,  4K029CA02 ,  4K029DB10 ,  4K029DB19 ,  4K029GA05 ,  5F045AA03 ,  5F045AB09 ,  5F045AF04 ,  5F045BB12 ,  5F045DA62 ,  5F045DA67

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• SiC基板上に形成されたGaN膜に対するリフトオフプロセスおよびその方法により作製されたデバイス
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2007-511360   Applicant：クリーインコーポレイテッド