ナノワイヤ太陽電池及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：特許業務法人創成国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009106213
Publication number (International publication number)：2010028092
Application date： Apr. 24, 2009
Publication date： Feb. 04, 2010
Summary：

【課題】ナノワイヤ状の半導体をアレイ状に備える装置により、実用的な電力が得られる太陽電池及びその製造方法を提供する。【解決手段】ナノワイヤ太陽電池1,11は、半導体基板2と、pn接合を構成する複数のナノワイヤ状の半導体4,5とを備える。半導体基板2とナノワイヤ状の半導体4,5とが単一の単結晶からなる。半導体4,5の間隙に充填された透明絶縁性材料6を備える。半導体4,5の表面に沿って、パッシベーション層10を備える。ナノワイヤ太陽電池の製造方法は、半導体基板2の表面の一部を非晶質膜3で被覆し、露出している半導体基板2の表面に、同一材料からなる結晶をエピタキシャル成長させてナノワイヤ状の半導体4,5を形成する。半導体4,5を透明絶縁性材料6に埋設後、透明絶縁性材料6の一部を除去して半導体4,5の先端を露出させることにより、半導体4,5の間隙に透明絶縁性材料6を充填する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体基板と、該半導体基板上に成長されpn接合を構成する複数のナノワイヤ状の半導体とを備えるナノワイヤ太陽電池であって、該半導体基板と該ナノワイヤ状の半導体とが単一の単結晶からなることを特徴とするナノワイヤ太陽電池。

IPC (3)：

H01L 31/04 , B82B 1/00 , B82B 3/00

FI (3)：

H01L31/04 E , B82B1/00 , B82B3/00

F-Term (11)：

5F051AA08 , 5F051CB08 , 5F051CB15 , 5F051CB21 , 5F051DA03 , 5F051FA04 , 5F051FA06 , 5F051FA13 , 5F051FA14 , 5F051FA15 , 5F051GA04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭53-031987
特開平4-296060
太陽電池およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-249184 Applicant：株式会社日立製作所

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Aligned Single-Crystalline Si Nanowire Arrays for Photovoltaic Applications

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