Pat
J-GLOBAL ID：201003082227161380
シリコン単結晶ウェーハ及びシリコン単結晶ウェーハの製造方法並びにシリコン単結晶ウェーハの評価方法
Inventor：
,
,
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008173142
Publication number (International publication number)：2010016078
Application date： Jul. 02, 2008
Publication date： Jan. 21, 2010
Summary：
【課題】ゲート酸化膜の厚さが数nmと薄い場合であってもGOIの劣化がないシリコン単結晶ウェーハとその製造方法、並びにGOI劣化がないことをTDDB法などに比べて容易に評価することのできる評価方法を提供する。【解決手段】少なくとも、シリコン単結晶インゴットを準備する工程と、シリコン単結晶インゴットをスライスしてスライス基板を複数枚作製する工程と、複数枚のスライス基板に、ラッピング・エッチング・研磨のうち少なくとも1つを行って複数枚の基板に加工する加工工程と、複数枚の基板から少なくとも1枚を抜き取る工程と、抜き取り工程で抜き取った基板の表面粗さをAFMで測定し、波長20nm〜50nmに対応する周波数X帯の振幅(強度)yを求めて合否を判定する工程と、判定が合格の場合は次工程へ送り、不合格の場合は再加工を行う工程と、を含む。【選択図】図7
Claim (excerpt)：
シリコン単結晶ウェーハであって、
該シリコン単結晶ウェーハの表面をAFMで表面粗さを測定した時、波長20nm〜50nmに対応する周波数帯の振幅(強度)が、前記表面粗さをAFMで測定した時の測定値の波形をフーリエ変換して、周波数をX、前記振幅(強度)をyとしたとき、y<0.00096e-15Xの関係を満たすものであることを特徴とするシリコン単結晶ウェーハ。
IPC (5)：
H01L 21/02
, C30B 29/06
, H01L 21/324
, H01L 21/304
, C30B 33/00
H01L21/02 B
, C30B29/06 B
, H01L21/324 X
, H01L21/304 622P
, H01L21/304 621B
, C30B33/00
4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077FE04
, 4G077FE11
, 4G077FG05
, 4G077FG11
, 4G077GA05
, 4G077GA10
, 4G077HA12
Cited by applicant (1)
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半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平5-053614
Applicant：株式会社東芝
Cited by examiner (2)
-
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平5-053614
Applicant：株式会社東芝
-
石英ガラス基板の表面処理方法及び水素ラジカルエッチング装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2006-276811
Applicant：信越石英株式会社, キヤノンアネルバ株式会社, 川副フロンティアテクノロジー株式会社
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