石英ガラス基板の表面処理方法及び水素ラジカルエッチング装置

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：石原詔二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006276811
Publication number (International publication number)：2008094649
Application date： Oct. 10, 2006
Publication date： Apr. 24, 2008
Summary：

【課題】本発明は、LSI分野の極端紫外線(EUV)を用いたリソグラフィ反射マスク基板などに対する要望に応えることができるようにした高平坦度(サブナノメータレベル)石英ガラス基板を得ることができるようにした石英ガラス基板の表面処理方法及びその処理方法に好適に用いられる水素ラジカルエッチング装置を提供する。【解決手段】石英ガラス基板の表面平坦度を制御する方法であって、石英ガラス基板を水素ラジカルエッチング装置内に載置し、前記石英ガラス基板に水素ラジカルを作用させて表面平坦度をサブナノメータレベルで制御できるようにした。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

石英ガラス基板の表面平坦度を制御する方法であって、石英ガラス基板を水素ラジカルエッチング装置内に載置し、前記石英ガラス基板に水素ラジカルを作用させて表面平坦度をサブナノメータレベルで制御することができるようにしたことを特徴とする石英ガラス基板の表面処理方法。

IPC (4)：

C03C 15/00 , G03F 1/08 , H01L 21/027 , C03B 20/00

FI (5)：

C03C15/00 A , G03F1/08 Z , H01L21/30 502P , H01L21/30 531M , C03B20/00 K

F-Term (10)：

2H095BA10 , 2H095BB27 , 2H095BC28 , 4G014AH00 , 4G059AA11 , 4G059AC03 , 4G059BB01 , 4G059BB12 , 5F046GD13 , 5F046GD20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体表面処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-089764 Applicant：永吉浩
ガラス基板及びガラス基板の平坦化方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-122369 Applicant：信越化学工業株式会社
特開昭63-030347

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