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J-GLOBAL ID：201003091979096641

改善された表面パッシベーションを有する結晶性シリコン太陽電池の製造方法

Inventor： コマツ、ユウジ ,  ゲールリグス、ラムベルト・ヨハン ,  ミハイレトチ、バレンティン・ダン
Applicant, Patent owner： イーシーエヌ・エネルギーオンデルゾエク・セントルム・ネーデルランド
Agent (11)： 鈴江 武彦 ,  蔵田 昌俊 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  砂川 克 ,  風間 鉄也
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2009530299
Publication number (International publication number)：2010504651
Application date： Sep. 20, 2007
Publication date： Feb. 12, 2010
Summary：

【解決手段】 本発明は、正面と裏面とを有する結晶性シリコン基板を用意し、結晶性シリコン基板を化学溶液に浸すことによって正面上および裏面上の少なくとも一方に酸化シリコン薄膜を形成し、正面上および裏面上の少なくとも一方の酸化シリコン薄膜上に絶縁性被膜を形成する、ことを具備する、結晶性シリコン太陽電池の製造方法を提供する。酸化シリコン薄膜は、0.5乃至10nmの厚さで形成され得る。化学溶液を用いて酸化層を形成することによって、比較的低温で半導体層の劣化を防止する表面パッシベーションのための酸化薄膜を形成することができる。【選択図】 図5

Claim (excerpt)：

正面と裏面とを有する結晶性シリコン基板を用意し、 前記結晶性シリコン基板を化学溶液に浸すことによって前記正面上および前記裏面上の少なくとも一方に酸化シリコン薄膜を形成し、 前記正面上および前記裏面上の少なくとも一方の前記酸化シリコン薄膜上に絶縁性被膜を形成する、 ことを具備する、結晶性シリコン太陽電池の製造方法。

IPC (1)：

H01L 31/04

FI (1)：

H01L31/04 F

F-Term (6)：

5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051HA01 ,  5F151AA02 ,  5F151AA03 ,  5F151HA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-226084
  
• 半導体基板の粗面化法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-117579   Applicant：京セラ株式会社