半導体基板の粗面化法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998117579
Publication number (International publication number)：1999312665
Application date： Apr. 27, 1998
Publication date： Nov. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】半導体基板の一主面側にRIE工程でムラができるという問題があった。【解決手段】半導体基板の表面を反応性イオンエッチング法で粗面状にする半導体基板の粗面化法において、前記半導基板の表面に酸化膜を形成した後、反応性イオンエッチング法で粗面状にする。

Claim (excerpt)：

半導体基板の表面を反応性イオンエッチング法で粗面状にする半導体基板の粗面化法において、前記半導体基板の表面に酸化膜を形成した後、反応性イオンエッチング法で粗面状にすることを特徴とする半導体基板の粗面化法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

薄膜の加工方法、容量素子の製造方法及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-054187 Applicant：松下電器産業株式会社
特開昭55-105382
ドライエッチング方法およびドライエッチング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-109667 Applicant：松下電器産業株式会社

Show all

Return to Previous Page