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J-GLOBAL ID：200903050123856263
半導体基板の粗面化法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998117579
Publication number (International publication number)：1999312665
Application date： Apr. 27, 1998
Publication date： Nov. 09, 1999
Summary：
【要約】【課題】 半導体基板の一主面側にRIE工程でムラができるという問題があった。【解決手段】 半導体基板の表面を反応性イオンエッチング法で粗面状にする半導体基板の粗面化法において、前記半導基板の表面に酸化膜を形成した後、反応性イオンエッチング法で粗面状にする。
Claim (excerpt)：
半導体基板の表面を反応性イオンエッチング法で粗面状にする半導体基板の粗面化法において、前記半導体基板の表面に酸化膜を形成した後、反応性イオンエッチング法で粗面状にすることを特徴とする半導体基板の粗面化法。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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