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J-GLOBAL ID：201003093193598514

グラファイト薄膜の切断方法、グラファイト薄膜を備える積層基板、およびこれを用いる電界効果トランジスタ

Inventor：
二瓶 史行

About 二瓶 史行


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 速水 進治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008277904
Publication number (International publication number)：2010109037
Application date： Oct. 29, 2008
Publication date： May. 13, 2010
Summary：
【課題】複雑な加工技術を用いることなく、グラファイト薄膜をナノスケール幅に切断することができるグラファイト薄膜の切断方法を提供すること。【解決手段】複数の段差部1aを有する基板1の表面に、グラファイト薄膜2を設ける工程と、グラファイト薄膜2が設けられた基板1を、酸素含有雰囲気下で加熱して、グラファイト薄膜2を段差部1aの位置で切断する工程とを含む、グラファイト薄膜の切断方法。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
複数の段差部を有する基板の表面に、グラファイト薄膜を設ける工程と、 前記グラファイト薄膜が設けられた基板を、酸素含有雰囲気下で加熱して、前記グラファイト薄膜を前記段差部の位置で切断する工程とを含む、グラファイト薄膜の切断方法。
IPC (6)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/06
FI (7)：
H01L29/78 618A ,  H01L21/302 104C ,  H01L21/205 ,  H01L29/78 301H ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/06 601N
F-Term (41)：
5F004AA16 ,  5F004CA04 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004EA34 ,  5F004EA38 ,  5F045AB07 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045CA05 ,  5F110AA30 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD21 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG01 ,  5F110GG42 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F140AA00 ,  5F140AB04 ,  5F140AC26 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BB01 ,  5F140BB06 ,  5F140BB19 ,  5F140BC11 ,  5F140BC17 ,  5F140BD04 ,  5F140BD07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BJ05
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)

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