Pat
J-GLOBAL ID:201003095888428159
有機トランジスタ
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3):
宮崎 昭夫
, 石橋 政幸
, 緒方 雅昭
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2008257371
Publication number (International publication number):2010087405
Application date: Oct. 02, 2008
Publication date: Apr. 15, 2010
Summary:
【課題】高い移動度、大きな電流オン/オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。【解決手段】有機半導体層に一般式(1)の化合物を含む有機トランジスタ。A1-(B)b-(C)c-(D)d-A2(1)〔A1は式(a)又は(b)の基、A2はH、ハロゲン、アルキル基等、あるいは式(a)又は(b)の基、B、C及びDは、アリーレン基、-CX11=CX12-(X11、X12は、H、ハロゲン、シアノ基)、-C≡C-で、b、c及びdは0〜3の整数〕【選択図】なし
Claim (excerpt):
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式(1)で表される化合物を少なくとも1種含有してなる有機トランジスタ。
A1-(B)b-(C)c-(D)d-A2 (1)
{式(1)中、A1は式(a)または式(b)で表される基
IPC (3):
H01L 51/30
, H01L 51/05
, H01L 29/786
FI (3):
H01L29/28 250H
, H01L29/28 100A
, H01L29/78 618B
F-Term (71):
4C071AA01
, 4C071AA07
, 4C071BB01
, 4C071BB05
, 4C071CC22
, 4C071DD04
, 4C071EE13
, 4C071FF23
, 4C071JJ01
, 4C071JJ07
, 4C071LL10
, 4C072MM08
, 4C072UU10
, 5F110AA01
, 5F110AA05
, 5F110AA14
, 5F110BB01
, 5F110BB09
, 5F110BB20
, 5F110CC01
, 5F110CC03
, 5F110CC05
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD03
, 5F110DD05
, 5F110DD06
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE07
, 5F110EE08
, 5F110EE09
, 5F110EE11
, 5F110EE42
, 5F110EE43
, 5F110EE44
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF09
, 5F110FF23
, 5F110FF27
, 5F110FF28
, 5F110FF29
, 5F110FF30
, 5F110GG05
, 5F110GG25
, 5F110GG28
, 5F110GG29
, 5F110GG32
, 5F110GG42
, 5F110GG43
, 5F110GG44
, 5F110GG57
, 5F110HK01
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK06
, 5F110HK07
, 5F110HK09
, 5F110HK13
, 5F110HK14
, 5F110HK16
, 5F110HK32
, 5F110HK33
, 5F110QQ06
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
-
電界効果トランジスタ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2006-329901
Applicant:国立大学法人広島大学, 日本化薬株式会社
Cited by examiner (4)