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J-GLOBAL ID:201003095888428159

有機トランジスタ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 宮崎 昭夫 ,  石橋 政幸 ,  緒方 雅昭
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2008257371
Publication number (International publication number):2010087405
Application date: Oct. 02, 2008
Publication date: Apr. 15, 2010
Summary:
【課題】高い移動度、大きな電流オン/オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。【解決手段】有機半導体層に一般式(1)の化合物を含む有機トランジスタ。A1-(B)b-(C)c-(D)d-A2(1)〔A1は式(a)又は(b)の基、A2はH、ハロゲン、アルキル基等、あるいは式(a)又は(b)の基、B、C及びDは、アリーレン基、-CX11=CX12-(X11、X12は、H、ハロゲン、シアノ基)、-C≡C-で、b、c及びdは0〜3の整数〕【選択図】なし
Claim (excerpt):
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式(1)で表される化合物を少なくとも1種含有してなる有機トランジスタ。 A1-(B)b-(C)c-(D)d-A2 (1) {式(1)中、A1は式(a)または式(b)で表される基
IPC (3):
H01L 51/30 ,  H01L 51/05 ,  H01L 29/786
FI (3):
H01L29/28 250H ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/78 618B
F-Term (71):
4C071AA01 ,  4C071AA07 ,  4C071BB01 ,  4C071BB05 ,  4C071CC22 ,  4C071DD04 ,  4C071EE13 ,  4C071FF23 ,  4C071JJ01 ,  4C071JJ07 ,  4C071LL10 ,  4C072MM08 ,  4C072UU10 ,  5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110BB09 ,  5F110BB20 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD06 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE11 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG57 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK13 ,  5F110HK14 ,  5F110HK16 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110QQ06
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
  • 電界効果トランジスタ
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2006-329901   Applicant:国立大学法人広島大学, 日本化薬株式会社
Cited by examiner (4)
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