電界効果トランジスタ

Inventor：
Applicant, Patent owner： ,
Agent (4)：浅村皓 , 浅村肇 , 亀岡幹生 , 安藤克則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006329901
Publication number (International publication number)：2008147256
Application date： Dec. 06, 2006
Publication date： Jun. 26, 2008
Summary：

【課題】特定の有機化合物を半導体材料として用いることにより、実用的なキャリア移動度を有する電界効果トランジスタを提供すること。【解決手段】下記式(1)で表される化合物を半導体材料として用いた電界効果トランジスタ。(式(1)中、X1及びX2はそれぞれ独立に硫黄原子又はセレン原子を、R1及びR2はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置換されていてもよい脂肪族炭化水素基を表す。)【選択図】図1

Claim (excerpt)：

下記式(1)で表される化合物を半導体材料として用いた電界効果トランジスタ。

IPC (6)：

H01L 51/30 , C07D 517/04 , H01L 29/786 , H01L 51/05 , H01L 51/40 , C07D 495/04

FI (6)：

H01L29/28 250H , C07D517/04 , H01L29/78 618B , H01L29/28 100A , H01L29/28 310J , C07D495/04 101

F-Term (60)：

4C071AA01 , 4C071AA08 , 4C071BB01 , 4C071BB05 , 4C071CC22 , 4C071DD40 , 4C071EE12 , 4C071FF22 , 4C071HH01 , 4C071LL10 , 5F110AA01 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110CC10 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF23 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG05 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK08 , 5F110HK09 , 5F110HK10 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

有機半導体装置及び液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-264964 Applicant：株式会社日立製作所
電界効果型トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-203670 Applicant：日本電気株式会社

Cited by examiner (1)

有機電界効果型トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-095276 Applicant：ソニー株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Dibenzothienobisbenzothiophene.a novel fused-ring oligomer with high field-effect mobility

Return to Previous Page