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J-GLOBAL ID：201102200606714709   Reference number：11A1814507

Increased photoluminescence of strain-reduced, high-Sn composition Ge_1-xSn_x alloys grown by molecular beam epitaxy

分子ビームエピタクシーにより成長させた低歪,高Sn組成Ge_1-xSn_x合金の光ルミネセンス増強

Author (6)： CHEN Robert (Dep. of Electrical Engineering, Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA) ,  LIN Hai (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA) ,  HUO Yijie (Dep. of Electrical Engineering, Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA) ,  HITZMAN Charles (Stanford Nano Center (SNC), Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA) ,  KAMINS Theodore I. (Dep. of Electrical Engineering, Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA) ,  HARRIS James S. (Dep. of Electrical Engineering, Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 99  Issue： 18  Page： 181125  Publication year： Oct. 31, 2011 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *photoluminescence ,  *MBE growth ,  semiconductor material ,  buffer layer ,  band gap ,  *germanium base alloy ,  tin containing alloy ,  emission spectrum ,  semiconductor thin film ,  parameter
Semi thesaurus term： ボーイングパラメータ

JST classification (1)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (8)： 分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  低歪 ,  Sn ,  組成 ,  合金 ,  光ルミネセンス ,  増強