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J-GLOBAL ID：201102204636203593   Reference number：11A1643859

Electrochemical isothermal-capacitance-transient spectroscopy: A new depth profiling method of deep levels

電気化学的等温容量過渡分光法:深準位の新しい深さ方向プロファイリング法

Author (6)： WANG S. Q. (Center for Interdisciplinary Res., Tohoku Univ., Aoba 6-3, Aramaki, Aobak-ku, Sendai 980-8578, JPN) ,  LU F. (Center for Interdisciplinary Res., Tohoku Univ., Aoba 6-3, Aramaki, Aobak-ku, Sendai 980-8578, JPN) ,  OH D. C. (Center for Interdisciplinary Res., Tohoku Univ., Aoba 6-3, Aramaki, Aobak-ku, Sendai 980-8578, JPN) ,  CHANG J. H. (Center for Interdisciplinary Res., Tohoku Univ., Aoba 6-3, Aramaki, Aobak-ku, Sendai 980-8578, JPN) ,  HANADA T. (Center for Interdisciplinary Res., Tohoku Univ., Aoba 6-3, Aramaki, Aobak-ku, Sendai 980-8578, JPN) ,  YAO T. (Center for Interdisciplinary Res., Tohoku Univ., Aoba 6-3, Aramaki, Aobak-ku, Sendai 980-8578, JPN)
Material： Review of Scientific Instruments  (Rev Sci Instrum)
Volume： 82  Issue： 9  Page： 093905  Publication year： Sep. 2011 
JST Material Number： D0517A  ISSN： 0034-6748  CODEN： RSINAK  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *spectroscopy ,  electrochemistry ,  *deep level ,  depth profile ,  *electrostatic capacity ,  *zinc selenide ,  compound semiconductor ,  semiconductor thin film ,  *doping ,  nitrogen ,  *complex technology ,  point defect ,  complex defect ,  *Schottky barrier
Semi thesaurus term： 電気化学的等温容量過渡分光法 ,  *過渡分光法

JST classification (3)： Electronic structure of impurites and defects  (BM02100I) ,  Electrochemical polarization  (CB07030J) ,  Spectroscopy and spectrometers in general  (BD07041Q)

Terms in the title (4)： 電気化学 ,  等温容量過渡分光法 ,  深準位 ,  プロファイリング