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J-GLOBAL ID：201102205032285725   Reference number：11A1777651

Pulsed laser excitation power dependence of photoluminescence peak energies in bulk ZnO

バルクZnOにおける光ルミネセンスピークエネルギーのパルスレーザー励起電力依存性

Author (4)： DANG Giang T. (Dep. of Environmental Systems Engineering, Kochi Univ. of Technol., Kami, Kochi 782-8502, JPN) ,  KANBE Hiroshi (Dep. of Electronic and Photonic Systems Engineering, Kochi Univ. of Technol., Kami, Kochi 782-8502, Japan;) ,  KAWAHARAMURA Toshiyuki (Res. Inst. for Nano-devices, Kochi Univ. of Technol., Kami, Kochi 782-8502, JPN) ,  TANIWAKI Masafumi (Dep. of Environmental Systems Engineering, Kochi Univ. of Technol., Kami, Kochi 782-8502, JPN)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 110  Issue： 8  Page： 083508  Publication year： Oct. 15, 2011 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *zinc oxide ,  *photoluminescence ,  compound semiconductor ,  hydrothermal synthesis ,  pulsed laser irradiation ,  *laser excitation ,  temperature dependence ,  red shift

JST classification (1)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (7)： バルク ,  ZnO ,  光ルミネセンス ,  エネルギー ,  パルス ,  レーザー励起 ,  電力依存性