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J-GLOBAL ID：201102205153575860   Reference number：11A1232626

Terahertz emission enhancement using a metallic hole on a SI-GaAs semiconductor

SI-GaAs基板上にある金属開口によるテラヘルツ放射増大の測定

Author (8)： QUE Christopher (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  ESTACIO Elmer (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  NAKAJIMA Hidekazu (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  TAKANO Keisuke (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  YAMAMOTO Kohji (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  HANGYO Masanori (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  BAKUNOV Michael (Univ. Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, RUS) ,  TANI Masahiko (Univ. Fukui, Fukui, JPN)
Material： 遠赤外領域開発研究  (福井大学遠赤外領域開発研究センター研究成果報告書)
Volume： 12  Page： 200-203  Publication year： Jun. 2011 
JST Material Number： L7601A  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *opening ,  *gallium arsenide ,  compound semiconductor ,  *substrate (plate) ,  *Gold ,  *metallic thin film ,  *Electromagnetic Radiation ,  *THz radiation

JST classification (1)： Electromagnetism in general  (BD01020N)

Terms in the title (3)： Si ,  GaAs基板 ,  テラヘルツ放射