Art

J-GLOBAL ID：201102205320224676   Reference number：11A0656306

Two-Dimensional Analysis of Field-Plate Effects on Surface-State-Related Current Transients and Power Slump in GaAs FETs

GaAs FETにおける表面準位関連電流過渡現象とパワースランプに関するフィールドプレート効果の二次元解析

Author (4)： HORIO Kazushige (Shibaura Inst. Technol., Saitama, JPN) ,  TANAKA Toshiya (Shibaura Inst. Technol., Saitama, JPN) ,  ITAGAKI Keiichi (Shibaura Inst. Technol., Saitama, JPN) ,  NAKAJIMA Atsushi (Shibaura Inst. Technol., Saitama, JPN)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 58  Issue： 3  Page： 698-703  Publication year： Mar. 2011 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium arsenide ,  *FET ,  surface level ,  *transient phenomenon ,  *compound semiconductor ,  voltage ,  current-voltage characteristic ,  device structure
Semi thesaurus term： GaAs ,  gate voltage ,  ドレインラグ ,  パワースランプ ,  field plate

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (8)： GaAs ,  FET ,  表面準位 ,  過渡現象 ,  パワー ,  スランプ ,  フィールドプレート ,  次元解析