Art

J-GLOBAL ID：201102219031418676   Reference number：11A1353938

An Electronic Synapse Device Based on Metal Oxide Resistive Switching Memory for Neuromorphic Computation

神経形態学的計算用金属酸化物抵抗スイッチングメモリに基づく電子シナプス素子

Author (5)： YU Shimeng (Stanford Univ., CA, USA) ,  WU Yi (Stanford Univ., CA, USA) ,  JEYASINGH Rakesh (Stanford Univ., CA, USA) ,  KUZUM Duygu (Stanford Univ., CA, USA) ,  WONG H.-S.Philip (Stanford Univ., CA, USA)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 58  Issue： 8  Page： 2729-2737  Publication year： Aug. 2011 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *biostimulation ,  switching ,  *neurophysiology ,  *synapse ,  *metal oxide ,  *switching element ,  nitride ,  titanium compound ,  hafnium oxide ,  aluminum oxide ,  platinum ,  electric power consumption ,  brain ,  learning ,  *neuron ,  *neurocomputer ,  parallel arithmetic
Semi thesaurus term： resistance switching ,  STDP ,  神経形態学的計算

JST classification (1)： Neurocomputers  (JC06010Q)

Terms in the title (5)： 神経形態学 ,  金属酸化物 ,  抵抗スイッチングメモリ ,  電子 ,  シナプス素子