Art

J-GLOBAL ID：201102220232263814   Reference number：11A0571870

Pd Layer Thickness Dependence of Tunnel Magnetoresistance Properties in CoFeB/MgO-Based Magnetic Tunnel Junctions with Perpendicular Anisotropy CoFe/Pd Multilayers

垂直異方性のCoFe/Pd多層があるCoFeB/MgO系磁気トンネル接合におけるトンネル磁気抵抗特性のPd層厚依存性

Author (11)： MIZUNUMA Kotaro (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  YAMANOUCHI Michihiko (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  IKEDA Shoji (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SATO Hideo (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  YAMAMOTO Hiroyuki (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  GAN Hua-Dong (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MIURA Katsuya (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MIURA Katsuya (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  HAYAKAWA Jun (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  MATSUKURA Fumihiro (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OHNO Hideo (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
Material： Applied Physics Express  (APEX)
Volume： 4  Issue： 2  Page： 023002.1-023002.3  Publication year： Feb. 25, 2011 
JST Material Number： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： magnetoresistance effect ,  cobalt containing alloy ,  *iron base alloy ,  boron containing alloy ,  *Palladium ,  tunnel junction ,  film thickness ,  metallic thin film ,  crystallization ,  magnetoresistive random access memory ,  amorphous alloy ,  *tunneling magnetoresistance effect
Semi thesaurus term： *MTJ

JST classification (2)： Other contacts  (BM03088W) ,  Electronic conduction in crystalline metals  (BM03033M)

Reference (20)：

• HOSOMI, M. IEDM Tech. Dig., 2005. 2005, 459
• KAWAHARA, T. IEEE J. Solid-State Circuits. 2008, 43, 109
• KISHI, T. IEDM Tech. Dig., 2008. 2008, 309
• MATSUNAGA, S. Appl. Phys. Express. 2008, 1, 091301
• NAKAYAMA, M. J. Appl. Phys. 2008, 103, 07A710

Terms in the title (9)： 垂直 ,  異方性 ,  PD ,  多層 ,  MgO ,  磁気トンネル接合 ,  トンネル磁気抵抗 ,  層厚 ,  依存性