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J-GLOBAL ID：201102224913080365   Reference number：11A1859274

ITO電極の酸素がHfO₂MOSキャパシタのフラットバンド電圧へ及ぼす影響

Author (6)： YAMADA HIROYUKI (芝浦工大 大学院) ,  NABATAME TOSHIHIDE (物質・材料研究機構) ,  KIMURA MASAYUKI (芝浦工大 大学院) ,  OI AKIHIKO (物質・材料研究機構) ,  CHIKYO TOYOHIRO (物質・材料研究機構) ,  OISHI TOMOJI (芝浦工大)
Material： 日本金属学会講演概要(CD-ROM)  (Collected Abstracts of Spring Meeting of the Japan Institute Metals and Materials (CD-ROM))
Volume： 149th  Page： ROMBUNNO.POSUTASESSHON,167  Publication year： Oct. 20, 2011 
JST Material Number： S0988B  ISSN： 2433-3093  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *thin film condenser ,  *MOS structure ,  *hafnium oxide ,  voltage ,  capacitance-voltage characteristic ,  electrode ,  *silicon oxide ,  *silicon ,  heat treatment ,  oxidation ,  reduction(reaction) ,  magnetron sputtering ,  gate(semiconductor) ,  thin film growth
Semi thesaurus term： *ITO electrode ,  MOS capacitor ,  gate electrode ,  *flat band voltage ,  film formation

JST classification (2)： LCR parts  (NA05030D) ,  Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X)

Terms in the title (3)： ITO電極 ,  酸素 ,  フラットバンド電圧