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J-GLOBAL ID：201102232517688760   Reference number：11A1110451

Properties of (11-20) a-plane ZnO films on sapphire substrates grown at different temperatures by plasma-assisted molecular beam epitaxy

プラズマアシスト分子線エピタクシーによって種々の温度でサファイア基板上に成長したa-面(11<span style=text-decoration:overline>2</span>0)酸化亜鉛膜の特性

Author (11)： HAN Seok Kyu ,  HONG Soon-ku ,  LEE Jae Wook ,  KIM Jae Goo ,  JEONG Myoungho ,  LEE Jeong Yong ,  HONG Sun Ig ,  PARK Jin Sub ,  IHM Young Eon ,  HA Jun-seok ,  YAO Takafumi
Material： Thin Solid Films
Volume： 519  Issue： 19  Page： 6394-6398  Publication year： Jul. 29, 2011 
JST Material Number： B0899A  ISSN： 0040-6090  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MBE growth ,  characterization ,  substrate (plate) ,  X-Ray Diffraction ,  rocking curve ,  threading dislocation ,  stacking fault ,  semiconductor thin film ,  epitaxy ,  atomic force microscope ,  *surface structure ,  crystallinity ,  temperature dependence ,  RHEED ,  surface roughness ,  *zinc oxide ,  sapphire substrate ,  lattice defect ,  *structure

JST classification (1)： Oxide thin films  (BK14050P)

Terms in the title (6)： プラズマ ,  アシスト ,  分子線エピタクシー ,  サファイア基板 ,  成長 ,  酸化亜鉛