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J-GLOBAL ID：201102232762713070   Reference number：11A0656105

Low-Phase-Noise Graphene FETs in Ambipolar RF Applications

両極性RF応用における低位相雑音グラフェンFET

Author (11)： MOON J. S. (HRL Lab., LLC, CA, USA) ,  CURTIS D. (HRL Lab., LLC, CA, USA) ,  ZEHNDER D. (HRL Lab., LLC, CA, USA) ,  KIM S. (HRL Lab., LLC, CA, USA) ,  GASKILL D. K. (Naval Res. Lab., Washington, DC, USA) ,  JERNIGAN G. G. (Naval Res. Lab., Washington, DC, USA) ,  MYERS-WARD R. L. (Naval Res. Lab., Washington, DC, USA) ,  EDDY C. R., Jr (Naval Res. Lab., Washington, DC, USA) ,  CAMPBELL P. M. (Naval Res. Lab., Washington, DC, USA) ,  LEE K.-M. (Univ. California San Diego, CA, USA) ,  ASBECK P. (Univ. California San Diego, CA, USA)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 32  Issue： 3  Page： 270-272  Publication year： Mar. 2011 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： phase noise ,  *monolayer ,  *FET ,  wafer ,  epitaxy ,  semiconductor material ,  carrier mobility ,  frequency multiplier ,  nonlinear circuit ,  frequency multiplication ,  1/f noise ,  *graphene ,  field effect mobility ,  both poles
Semi thesaurus term： epitaxy ,  GHz ,  tog gate ,  frequency multiplier

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (5)： 両極性 ,  RF ,  応用 ,  低位相雑音 ,  グラフェンFET