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J-GLOBAL ID：201102235989171914   Reference number：11A1159806

Recent Advances in Understanding the Bias Temperature Instability

バイアス温度不安定性解明の最近の進展

Author (11)： GRASSER T. (TU Wien, AUT) ,  KACZER B. (IMEC, Leuven, BEL) ,  GOES W. (TU Wien, AUT) ,  REISINGER H. (Infineon, Munich, DEU) ,  AICHINGER Th. (KAI, Villach, AUT) ,  HEHENBERGER Ph. (TU Wien, AUT) ,  WAGNER P.-J. (TU Wien, AUT) ,  SCHANOVSKY F. (TU Wien, AUT) ,  FRANCO J. (IMEC, Leuven, BEL) ,  ROUSSEL Ph. (IMEC, Leuven, BEL) ,  NELHIEBEL M. (Infineon, Villach, AUT)
Material： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (IEEE International Electron Devices Meeting)
Volume： 2010  Page： 82-85  Publication year： 2010 
JST Material Number： C0829B  ISSN： 0163-1918  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *bias ,  *thermal stability ,  voltage ,  *MOS structure ,  *oxide film ,  *lattice defect ,  *carrier capture ,  electric charge ,  random noise ,  radio noise ,  reaction-diffusion system ,  benchmark ,  MOSFET
Semi thesaurus term： bias temperature instability ,  charge trapping

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (2)： バイアス温度不安定性 ,  進展