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J-GLOBAL ID：201102236680563350   Reference number：11A1792912

High-energy heavy ion beam annealing effect on ion beam synthesis of silicon carbide

炭化ケイ素のイオンビーム合成に及ぼす高エネルギー重イオンビーム焼鈍効果

Author (7)： KHAMSUWAN J. ,  INTARASIRI S. ,  KIRKBY K. ,  JEYNES C. ,  CHU P.k. ,  KAMWANNA T. ,  YU L.d.
Material： Surface & Coatings Technology  (Surf Coat Technol)
Volume： 206  Issue： 5  Page： 770-774  Publication year： Nov. 25, 2011 
JST Material Number： D0205C  ISSN： 0257-8972  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon carbide ,  energy ,  *heavy ion beam ,  ion ,  *carbon ,  *ion implantation ,  wafer ,  chemical synthesis ,  ion beam sputtering ,  *annealing(heat treatment) ,  xenon ,  iodine ,  depth profile ,  fluence ,  crystallization ,  electron ,  stopping power ,  *silicon
Semi thesaurus term： *ion beam synthesis ,  annealing (heat treatment) ,  ion beam synthesis ,  Si wafer ,  high energy ,  carbon ion

JST classification (2)： Salts  (CD01050V) ,  Irradiational changes of other materials  (BK16124V)

Terms in the title (5)： 炭化ケイ素 ,  イオンビーム ,  高エネルギー ,  重イオンビーム ,  焼鈍