Art

J-GLOBAL ID：201102245573353814   Reference number：11A1491886

表面に金属ナノ構造を持つInGaN薄膜の光学特性

Author (9)： NAKAJI KODO (北大 大学院) ,  KIBA TAKAYUKI (北大 大学院) ,  KIBA TAKAYUKI (JST-CREST) ,  MURAYAMA AKIHIRO (北大 大学院) ,  MURAYAMA AKIHIRO (JST-CREST) ,  SAKUMA MIO (仙台高専) ,  YOKOTA YUKIE (北大 電子科研) ,  UENO KOSEI (北大 電子科研) ,  MISAWA HIROAKI (北大 電子科研)
Material： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
Volume： 72nd  Page： ROMBUNNO.31P-P6-13  Publication year： Aug. 16, 2011 
JST Material Number： Y0055B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *indium compound ,  gallium compound ,  nitride ,  semiconductor thin film ,  metal ,  gold ,  *nanostructure ,  surface structure ,  *optical property ,  light emission ,  response ,  photoluminescence ,  fluorescence spectrum ,  microspectroscopy ,  sample preparation ,  metallic thin film ,  electron beam lithography ,  scanning electron microscope ,  sequence and arrangement ,  degree of order ,  spacing ,  light source ,  cw laser ,  heat characteristic ,  exciton ,  field intensity ,  analysis
Semi thesaurus term： gold ,  *InGaN ,  SEM (microscope) ,  ordering ,  gold thin film ,  Microspectrophotometry ,  optical response ,  *optical characteristics ,  sample preparation ,  low-temperature characteristics ,  electric field intensity ,  pumping light source

JST classification (3)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (4)： 金属ナノ構造 ,  InGaN ,  薄膜 ,  光学特性