Art

J-GLOBAL ID：201102250075818730   Reference number：11A1024428

Wafer-scale selective area growth of GaN hexagonal prismatic nanostructures on c-sapphire substrate

c-サファイヤ基板上での六角柱GaNナノ構造体のウエファースケールの領域選択成長

Author (9)： CHEN X.j. (Equipe mixte CEA-CNRS-UJF “Nanophysique et semiconducteurs”, CEA, INAC, SP2M, NPSC, 17 rue des Martyrs, 38054 ...) ,  HWANG J.s. (Equipe mixte CEA-CNRS-UJF “Nanophysique et semiconducteurs”, Inst. Neel-CNRS, 25 rue des Martyrs, BP 166, Fr-38042 ...) ,  PERILLAT-MERCEROZ G. (CEA, LETI, Minatec Campus, 38054 Grenoble Cedex 9, FRA) ,  PERILLAT-MERCEROZ G. (CEA, INAC, SP2M, LEMMA, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, FRA) ,  LANDIS S. (CEA, LETI, Minatec Campus, 38054 Grenoble Cedex 9, FRA) ,  MARTIN B. (CEA, LETI, Minatec Campus, 38054 Grenoble Cedex 9, FRA) ,  LE SI DANG D. (Equipe mixte CEA-CNRS-UJF “Nanophysique et semiconducteurs”, Inst. Neel-CNRS, 25 rue des Martyrs, BP 166, Fr-38042 ...) ,  EYMERY J. (Equipe mixte CEA-CNRS-UJF “Nanophysique et semiconducteurs”, CEA, INAC, SP2M, NPSC, 17 rue des Martyrs, 38054 ...) ,  DURAND C. (Equipe mixte CEA-CNRS-UJF “Nanophysique et semiconducteurs”, CEA, INAC, SP2M, NPSC, 17 rue des Martyrs, 38054 ...)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 322  Issue： 1  Page： 15-22  Publication year： May. 01, 2011 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,  *nanostructure ,  *selective growth ,  epitaxy ,  semiconductor thin film ,  lithography ,  pattern formation ,  crystal growth ,  cathodoluminescence ,  silicon ,  doping ,  sapphire ,  hexagonal system

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： サファイヤ基板 ,  六角柱 ,  GaN ,  ナノ構造体 ,  領域選択成長