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J-GLOBAL ID：201102255414633968   Reference number：11A1643737

Surface passivation of p-type Ge substrate with high-quality GeN_x layer formed by electron-cyclotron-resonance plasma nitridation at low temperature

低温で電子サイクロトロン共鳴プラズマ窒化により形成した高品位GeN_x層でのp型Ge基板の表面パッシベ-ション

Author (5)： FUKUDA Yukio (Tokyo Univ. of Sci., Suwa, 5000-1 Toyohira, Chino, Nagano 391-0292, JPN) ,  OKAMOTO Hiroshi (Hirosaki Univ., 3 Bunkyo-cho, Hirosaki, Aomori 036-8561, JPN) ,  IWASAKI Takuro (Hirosaki Univ., 3 Bunkyo-cho, Hirosaki, Aomori 036-8561, JPN) ,  OTANI Yohei (Tokyo Univ. of Sci., Suwa, 5000-1 Toyohira, Chino, Nagano 391-0292, JPN) ,  ONO Toshiro (Hirosaki Univ., 3 Bunkyo-cho, Hirosaki, Aomori 036-8561, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 99  Issue： 13  Page： 132907  Publication year： Sep. 26, 2011 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： CMOS structure ,  *substrate(plate) ,  P-type semiconductor ,  *germanium ,  electron cyclotron resonance heating ,  ion nitriding ,  *passivation ,  annealing(phenomenon) ,  temperature dependence ,  capacitance-voltage characteristic ,  interface(surface) ,  depletion layer ,  carrier capture ,  dispersion ,  Fermi level ,  germanium compound ,  nitride
Semi thesaurus term： plasma nitriding ,  *passivation ,  frequency dispersion ,  germanium nitride

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (5)： 低温 ,  電子サイクロトロン共鳴プラズマ ,  窒化 ,  高品位 ,  Ge基板