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J-GLOBAL ID：201102255712794974   Reference number：11A0967296

Polarity controlled InAs{111} films grown on Si(111)

Si(111)上の成長させた極性制御されたInAs{111}膜

Author (2)： OHTAKE Akihiro (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Tsukuba 305-0044, JPN) ,  MITSUISHI Kazutaka (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Tsukuba 305-0044, JPN)
Material： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology & Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, & Phenomena)
Volume： 29  Issue： 3  Page： 031804  Publication year： May. 2011 
JST Material Number： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,  substrate (plate) ,  *indium arsenide ,  compound semiconductor ,  *semiconductor thin film ,  *island structure ,  *crystal orientation ,  *MBE growth

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (4)： Si ,  成長 ,  極性 ,  InAs