Art

J-GLOBAL ID：201102256174746669   Reference number：11A1393842

Schottky-Barrier-Induced AC Surface Photovoltages in Au-Precipitated n-Type Si(001) Surfaces

Au析出n型Si(001)表面におけるSchottky障壁誘起AC表面光起電力

Author (2)： SHIMIZU Hirofumi (Nihon Univ., Fukushima, JPN) ,  SANADA Yuji (Nihon Univ., Fukushima, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 50  Issue： 8,Issue 1  Page： 085701.1-085701.5  Publication year： Aug. 25, 2011 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon ,  *surface ,  thermal oxidation ,  *silicon dioxide ,  *Gold ,  precipitation (phase separation) ,  *photovoltage ,  *growth promotion ,  *interface (surface) ,  *Schottky barrier ,  cluster ,  pollution ,  granule (particle) ,  chemical analysis
Semi thesaurus term： silicon ,  Catalysis

JST classification (4)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Metallic thin films  (BK14030T) ,  Semiconductor-metal contacts  (BM03084G) ,  Photoconduction,photoelectromotive force  (BM03050J)

Reference (23)：

• 1) H. C. Gatos and J. Lagowski: J. Vac. Sci. Technol. 10 (1973) 130.
• 2) R. S. Nakhmanson: Solid-State Electron. 18 (1975) 617.
• 3) C. Munakata, S. Nishimatsu, N. Honma, and K. Yagi: Jpn. J. Appl. Phys. 23 (1984) 1451.
• 4) C. Munakata and S. Nishimatsu: Jpn. J. Appl. Phys. 25 (1986) 807.
• 5) J. Lagowski, P. Edelman, M. Dexter, and W. Henley: Semicond. Sci. Technol. 7 (1992) A185.

Terms in the title (7)： Au ,  析出 ,  Si ,  Schottky障壁 ,  誘起 ,  Ac ,  表面光起電力