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J-GLOBAL ID：201102256318482718   Reference number：11A0944062

Enhanced Carrier Transport in Uniaxially (001)-Oriented Anatase Ti_0.94Nb_0.06O₂ Films Grown on Nanosheet Seed Layers

ナノシート シード層上で成長した一軸(001)配向アナターゼ中の増強キャリア輸送

Author (21)： YAMADA Naoomi (Kanagawa Acad. Sci. and Technol. (KAST), Kawasaki, JPN) ,  SHIBATA Tatsuo (National Inst. Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  SHIBATA Tatsuo (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  TAIRA Kenji (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  TAIRA Kenji (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIROSE Yasushi (Kanagawa Acad. Sci. and Technol. (KAST), Kawasaki, JPN) ,  HIROSE Yasushi (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  HIROSE Yasushi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  NAKAO Shoichiro (Kanagawa Acad. Sci. and Technol. (KAST), Kawasaki, JPN) ,  NAKAO Shoichiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HOANG Ngoc Lam Huong (Kanagawa Acad. Sci. and Technol. (KAST), Kawasaki, JPN) ,  HOANG Ngoc Lam Huong (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HITOSUGI Taro (Kanagawa Acad. Sci. and Technol. (KAST), Kawasaki, JPN) ,  HITOSUGI Taro (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SHIMADA Toshihiro (Kanagawa Acad. Sci. and Technol. (KAST), Kawasaki, JPN) ,  SHIMADA Toshihiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SASAKI Takayoshi (National Inst. Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  SASAKI Takayoshi (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  HASEGAWA Tetsuya (Kanagawa Acad. Sci. and Technol. (KAST), Kawasaki, JPN) ,  HASEGAWA Tetsuya (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  HASEGAWA Tetsuya (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
Material： Applied Physics Express  (APEX)
Volume： 4  Issue： 4  Page： 045801.1-045801.3  Publication year： Apr. 25, 2011 
JST Material Number： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： lower layer ,  *nanostructure ,  *membrane and film ,  single shaft ,  anatase ,  *transport phenomenon ,  carrier ,  *effective mass ,  *sputtering ,  electrode ,  resistance ,  *nanosheet ,  *carrier transport
Semi thesaurus term： seed-layer ,  *有効電子質量

JST classification (2)： Electric conduction in semiconductors and insulators in general  (BM03041P) ,  Sputtering  (BK16110U)

Reference (31)：

• FURUBAYASHI, Y. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 252101
• HITOSUGI, T. Jpn. J. Appl. Phys. 2005, 44, L1063
• ASAHI, R. Phys. Rev. B. 2000, 61, 7459
• HITOSUGI, T. Appl. Phys. Express. 2008, 1, 111203
• HITOSUGI, T. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 212106

Terms in the title (8)： ナノシート ,  シード層 ,  成長 ,  一軸 ,  配向 ,  アナターゼ ,  増強 ,  キャリア輸送