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J-GLOBAL ID：201102257889526247   Reference number：11A1923871

Anomalous Oxide Charge Variation Identified by Alternating Current Surface Photovoltage Method in Cr-Aqueous-Solution-Rinsed p-Type Si(001) Wafers Exposed to Air

Cr水溶液で洗浄し空気に曝露したp型Si(001)ウエハにおける交流表面光起電力法により同定した非晶質酸化物電荷変化

Author (2)： SHIMIZU Hirofumi (Nihon Univ., Fukushima, JPN) ,  SANADA Yuji (Nihon Univ., Fukushima, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 50  Issue： 11,Issue 1  Page： 111301.1-111301.4  Publication year： Nov. 25, 2011 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： P-type semiconductor ,  silicon ,  *wafer ,  metallization(IC) ,  photovoltage ,  *oxide ,  *amorphous state ,  *surface charge
Semi thesaurus term： *silicon wafer ,  *非晶質酸化物 ,  surface photovoltage

JST classification (1)： Surface structure of semiconductors  (BK15030A)

Reference (30)：

• 1) H. Shimizu: J. Electrochem. Soc. 144 (1997) 4335.
• 2) R. K. Iler: The Chemistry of Silica (Wiley, New York, 1965)p.88.
• 3) G. Eisenman: J. Biophys. 2 (1962) 259.
• 4) H. Shimizu and C. Munakata: J. Appl. Phys. 73 (1993) 8336.
• 5) H. Shimizu, R. Shin, and M. Ikeda: Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) 3778.

Terms in the title (12)： Cr ,  水溶液 ,  洗浄 ,  曝露 ,  P型Si ,  ウエハ ,  交流 ,  表面光起電力 ,  同定 ,  非晶質 ,  酸化物 ,  電荷