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J-GLOBAL ID：201102264795741620   Reference number：11A1473964

アルキル置換ペリレンジイミド類を用いたn型薄膜トランジスタ

Author (1)： ICHIKAWA MUSUBU (信州大 繊維)
Material： 未来材料  (Expected Materials for the Future)
Volume： 11  Issue： 9  Page： 26-31  Publication year： Sep. 10, 2011 
JST Material Number： L4328A  ISSN： 1346-0986  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *thin film transistor ,  alkyl group ,  *diimide ,  chain length effect ,  thin film ,  carrier mobility ,  morphology (form) ,  surface quality ,  intermolecular interaction ,  micro structure ,  current-voltage characteristic ,  electron mobility
Semi thesaurus term： *organic thin-film transistor

JST classification (3)： Transistors  (NC03070N) ,  Thin films of organic compounds  (BK14070L) ,  Nitrogen heterocycles in general  (CF07040G)

Substance index (1)： N,N′-Ditridecyl-3,4:9,10-perylenebisdicarbimide

Reference (17)：

• 1) T.W. Kelley, L.D. Boardman, T.D. Dunbar, D.V. Muyres, M.J. Pellerite, T.P. Smith: J. Phys. Chem. B, 107, 5877 (2003).
• 2) T. Yamamoto, K. Takimiya: J. Am. Chem. Soc., 129 (8), 2224 (2007).
• 3) S. Ando, R. Murakami, J.-i. Nishida, H. Tada, Y. Inoue, S. Tokito, Y. Yamashita: J. Am. Chem. Soc., 127 (43), 14996 (2005).
• 4) N.J. Haddock, B. Domercq, B. Kippelen: Electron. Lett., 41 (7) , 444 (2005).
• 5) D. Shukla, S.F. Nelson, D.C. Freeman, M. Rajeswaran, W.G. Ahearn, D.M. Meyer. J.T. Carey: Chem. Mater., 20 (24), 7486 (2008).

Terms in the title (3)： 置換 ,  ペリレンジイミド ,  薄膜トランジスタ