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J-GLOBAL ID：201102267913877965   Reference number：11A0543703

Ge MOSFETs performance-Impact of Interface Passivation-

Ge CMOSに適したチャネル界面パッシベーション

Author (7)： LEE Choong Hyun ,  NISHIMURA TOMONORI ,  TABATA TOSHIYUKI ,  WANG Sheng Kai ,  NAGASHIO KOSUKE ,  KITA KOJI ,  TORIUMI AKIRA
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 110  Issue： 406(SDM2010 204-215)  Page： 9-12  Publication year： Jan. 24, 2011 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *MOSFET ,  *CMOS structure ,  Germanium ,  passivation ,  density ,  surface level ,  *carrier mobility ,  valence band ,  conduction band ,  silicon ,  interface state density ,  *MOS structure ,  modification
Semi thesaurus term： germanium ,  silicon ,  passivation ,  valence band ,  interface state ,  界面準位密度 ,  conduction band

JST classification (3)： Transistors  (NC03070N) ,  Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  Electric conduction in semiconductors and insulators in general  (BM03041P)

Reference (9)：

• LEE, C. H. IEDM Tech. Dig., 2009. 2009, 723
• NISHIMURA, T. VLSI Symp., 2010. 2010, 209
• MITARD, J. VLSI Symp., 2009. 2009, 82, 165
• TAOKA, N. Appl. Phys. Lett. 2008, 113511
• KITA, K. Appl. Surf. Sci. 2008, 6100

Terms in the title (5)： Ge ,  CMOS ,  チャネル ,  界面 ,  パッシベーション