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J-GLOBAL ID：201102273610366461   Reference number：11A0573033

Transient Analysis of an Extended Drift Region in a 6H-SiC Diode Formed by a Single Alpha Particle Strike and Its Contribution to the Increased Charge Collection

単一α粒子衝突により形成された6H-SiCダイオード中の拡大ドリフト領域の過渡解析と増大した電荷収集へのその寄与

Author (8)： IWAMOTO N. (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN) ,  ONODA S. (Japan Atomic Energy Agency, Gunma, JPN) ,  MAKINO T. (Japan Atomic Energy Agency, Gunma, JPN) ,  OHSHIMA T. (Japan Atomic Energy Agency, Gunma, JPN) ,  KOJIMA K. (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  KOIZUMI A. (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN) ,  UCHIDA K. (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN) ,  NOZAKI S. (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN)
Material： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Trans Nucl Sci)
Volume： 58  Issue： 1,Pt.2  Page： 305-313  Publication year： Feb. 2011 
JST Material Number： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *alpha particle ,  *silicon carbide ,  diode ,  drift (migration) ,  transient analysis ,  *collection ,  PN junction ,  radiation detector ,  Computer Simulation ,  *charge collection ,  *6H-silicon carbide ,  analysis ,  computer application ,  utilization
Semi thesaurus term： *6H-SiC

JST classification (1)： Diodes  (NC03050R)

Terms in the title (7)： 粒子衝突 ,  6H-SiC ,  ダイオード ,  拡大 ,  ドリフト ,  過渡解析 ,  電荷収集