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J-GLOBAL ID：201102274278400371   Reference number：11A1811330

GaInAsP/InP Membrane Lasers for Optical Interconnects

光相互接続のためのGaInAsP/InP膜レーザ

Author (4)： ARAI Shigehisa (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  NISHIYAMA Nobuhiko (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  MARUYAMA Takeo (Kanazawa Univ., Ishikawa, JPN) ,  OKUMURA Tadashi (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
Material： IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics  (IEEE J Sel Top Quantum Electron)
Volume： 17  Issue： 5  Page： 1381-1389  Publication year： Sep. 2011 
JST Material Number： W0734A  ISSN： 1077-260X  CODEN： IJSQEN  Document type： Article
Article type： 文献レビュー  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *laser ,  *gallium indium arsenide phosphide ,  *indium phosphide ,  wavelength ,  optical integrated circuit ,  light source ,  lattice ,  refractive index ,  *distributed feedback laser ,  quantum efficiency ,  light confinement ,  threshold current
Semi thesaurus term： *膜レーザ ,  *low power ,  *長波長 ,  optical interconnection ,  *横電流注入 ,  *Fabry-Perotレーザ ,  distributed feedback laser

JST classification (2)： Semiconductor lasers  (BD04070L) ,  Optical integrated circuits,integrated optics  (BD06050D)

Terms in the title (4)： 光相互接続 ,  GaInAsP ,  InP ,  レーザ