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J-GLOBAL ID：201102274975923820   Reference number：11A0143324

High-Efficiency Single-Quantum-Well Green and Yellow-Green Light-Emitting Diodes on Semipolar (20<span style=text-decoration:overline>2</span>1) GaN Substrates

半極性(20<span style=text-decoration:overline>2</span>1)GaN基板上の高効率単一量子井戸緑色および黄色-緑色発光ダイオード

Author (9)： YAMAMOTO Shuichiro (Univ. California, CA, USA) ,  YAMAMOTO Shuichiro (Sharp Corp., Nara, JPN) ,  ZHAO Yuji (Univ. California, CA, USA) ,  PAN Chih-Chien (Univ. California, CA, USA) ,  CHUNG Roy B. (Univ. California, CA, USA) ,  FUJITO Kenji (Mitsubishi Chemical Corp., Ibaraki, JPN) ,  SONODA Junichi (Univ. California, CA, USA) ,  DENBAARS Steven P. (Univ. California, CA, USA) ,  NAKAMURA Shuji (Univ. California, CA, USA)
Material： Applied Physics Express  (APEX)
Volume： 3  Issue： 12  Page： 122102.1-122102.3  Publication year： Dec. 25, 2010 
JST Material Number： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium nitride ,  quantum well ,  *light emitting diode ,  *efficiency ,  *green ,  MOCVD ,  compound semiconductor ,  semiconductor thin film ,  quantum efficiency ,  electroluminescence
Semi thesaurus term： *high efficiency ,  green ,  metalorganic chemical vapor deposition ,  external quantum efficiency

JST classification (1)： Light emitting devices  (NC03082G)

Reference (21)：

• NAKAMURA, S. J. Appl. Phys. 1993, 74, 3911
• CHICHIBU, S. Appl. Phys. Lett. 1996, 69, 4188
• HANGLEITER, A. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1998, 3, 15
• BERNARDINI, F. Phys. Status Solidi B. 1999, 216, 391
• ROMANOV, A. E. J. Appl. Phys. 2006, 100, 023522

Terms in the title (7)： 半極性 ,  GaN ,  高効率 ,  単一量子井戸 ,  緑色 ,  黄色 ,  緑色発光ダイオード