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J-GLOBAL ID：201102275139096281   Reference number：11A1568593

High performance Extremely-thin Body III-V-On-Insulator MOSFETs on a Si substrate with Ni-InGaAs metal S/D and MOS Interface Buffer Engineering

Ni-InGaAs金属S/DとMOS界面バッファー技術を用いたSi基板上高性能極薄基板III-V-オン-絶縁膜MOSFET

Author (14)： KIM S. H. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  YOKOYAMA M. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TAOKA N. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  IIDA R. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  LEE S. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  NAKANE R. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  URABE Y. (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  MIYATA N. (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  YASUDA T. (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  YAMADA H. (Sumitomo Chemical Co. Ltd., Ibaraki, JPN) ,  FUKUHARA N. (Sumitomo Chemical Co. Ltd., Ibaraki, JPN) ,  HATA M. (Sumitomo Chemical Co. Ltd., Ibaraki, JPN) ,  TAKENAKA M. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TAKAGI S. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
Material： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Symposium on VLSI Technology)
Volume： 2011  Page： 58-59  Publication year： 2011 
JST Material Number： A0035B  ISSN： 0743-1562  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： Nickel ,  *indium gallium arsenide ,  source ,  drain (semiconductor) ,  *MOSFET ,  *insulating film ,  *buffer layer ,  silicon ,  substrate (plate) ,  *ultrathin film ,  doping ,  film thickness ,  carrier mobility ,  current-voltage characteristic ,  SOI structure

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (8)： Ni ,  InGaAs ,  MOS ,  界面 ,  バッファー ,  Si基板 ,  絶縁膜 ,  MOSFET