Art

J-GLOBAL ID：201102277761443897   Reference number：11A1000179

Diamond overgrown InAlN/GaN HEMT

ダイヤモンドが表面成長したInAlN/GaN HEMT

Author (11)： ALOMARI M. ,  DIPALO M. ,  ROSSI S. ,  DIFORTE-POISSON M.-a. ,  DELAGE S. ,  CARLIN J.-f. ,  GRANDJEAN N. ,  GAQUIERE C. ,  TOTH L. ,  PECZ B. ,  KOHN E.
Material： Diamond and Related Materials  (Diam Relat Mater)
Volume： 20  Issue： 4  Page： 604-608  Publication year： Apr. 2011 
JST Material Number： W0498A  ISSN： 0925-9635  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *HEMT ,  *compound semiconductor ,  *nitride ,  indium compound ,  aluminum compound ,  nonstoichiometric compound ,  gallium nitride ,  *thin film ,  nano crystal ,  *chemical vapor deposition ,  MOCVD ,  *crystal growth ,  *intergrowth ,  *surface structure ,  *crystal structure ,  chemical composition ,  FET ,  current-voltage characteristic ,  mesa structure ,  heat sink ,  *diamond film ,  *structure
Semi thesaurus term： metal organic vapor phase epitaxy ,  *hot filament CVD ,  *表面成長

JST classification (3)： Transistors  (NC03070N) ,  Carbon and its compounds  (YB02060D) ,  Specific heat and thermal conduction in general  (BL05021E)

Terms in the title (4)： ダイヤモンド ,  InAlN ,  GaN ,  HEMT