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J-GLOBAL ID：201102278173551523   Reference number：11A1180087

Investigation on Wirebond-less Power Module Structure with High-Density Packaging and High Reliability

高密度実装と高信頼度のワイヤボンデイングレスパワーモジュール構造に関する検討

Author (6)： IKEDA Yoshinari (Fuji Electric Holdings Co., Ltd., Nagano, JPN) ,  IIZUKA Yuji (Fuji Electric Holdings Co., Ltd., Nagano, JPN) ,  HINATA Yuichiro (Fuji Electric Holdings Co., Ltd., Nagano, JPN) ,  HORIO Masafumi (Fuji Electric Holdings Co., Ltd., Nagano, JPN) ,  HORI Motohito (Fuji Electric Systems Co., Ltd., Nagano, JPN) ,  TAKAHASHI Yoshikazu (Fuji Electric Systems Co., Ltd., Nagano, JPN)
Material： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's)
Volume： 23rd  Page： 272-275  Publication year： 2011 
JST Material Number： W1300A  ISSN： 1943-653X  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： wire bonding ,  *circuit module ,  *power electronics ,  *high density packaging ,  *reliability test ,  wiring ,  semiconductor chip ,  compound semiconductor ,  band gap ,  IC package ,  thermal resistance ,  finite element method ,  silicon carbide ,  *IGBT ,  Schottky barrier diode ,  *heat characteristic
Semi thesaurus term： power module ,  wide band-gap semiconductor

JST classification (1)： Measurement,testing and reliability of solid-state devices  (NC03040G)

Terms in the title (2)： 高密度実装 ,  信頼度