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J-GLOBAL ID：201102280558445443   Reference number：11A1069000

Tunnel Magnetoresistance Properties of Double MgO-Barrier Magnetic Tunnel Junctions With Different Free-Layer Alloy Compositions and Structures

種々の自由層合金組成および構造を持つ二重MgO障壁磁気トンネル接合のトンネル磁気抵抗特性

Author (9)： GAN Huadong (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  IKEDA Shoji (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  YAMANOUCHI Michihiko (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MIURA Katsuya (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MIURA Katsuya (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  MIZUNUMA Kotaro (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HAYAKAWA Jun (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  MATSUKURA Fumihiro (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OHNO Hideo (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
Material： IEEE Transactions on Magnetics  (IEEE Trans Magn)
Volume： 47  Issue： 6,Pt.1  Page： 1567-1570  Publication year： Jun. 2011 
JST Material Number： A0339B  ISSN： 0018-9464  CODEN： IEMGAQ  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： tunnel junction ,  *magnetoresistance effect ,  magnetic reluctance ,  magnesium oxide ,  barrier ,  magnetic alloy ,  chemical composition ,  magnetic structure ,  sputtering ,  *TMR device ,  magnetic tunnel junction
Semi thesaurus term： free layer

JST classification (2)： Electronic conduction in metals in general  (BM03031E) ,  Magnetoelectric devices  (NC03100X)

Terms in the title (8)： 自由層 ,  合金組成 ,  MgO ,  障壁 ,  磁気トンネル接合 ,  トンネル ,  磁気 ,  抵抗特性