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J-GLOBAL ID：201102285308473133   Reference number：11A0791099

Solar-blind photodiodes composed of a Au Schottky contact and a β-Ga₂O₃ single crystal with a high resistivity cap layer

高抵抗キャップ層を持つβ-Ga₂O₃単結晶とAu Schottky接触からなるソーラブラインドフォトダイオード

Author (3)： SUZUKI Rikiya (Dep. of Information Technol. and Electronics, Fac. of Sci. and Engineering, Ishinomaki Senshu Univ., 1 Shinmito ...) ,  NAKAGOMI Shinji (Dep. of Information Technol. and Electronics, Fac. of Sci. and Engineering, Ishinomaki Senshu Univ., 1 Shinmito ...) ,  KOKUBUN Yoshihiro (Dep. of Information Technol. and Electronics, Fac. of Sci. and Engineering, Ishinomaki Senshu Univ., 1 Shinmito ...)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 98  Issue： 13  Page： 131114  Publication year： Mar. 28, 2011 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *photodiode ,  protective film ,  sol-gel process ,  contact ,  *photodetection ,  photoconductivity ,  solid state device model ,  gallium oxide ,  semiconductor material ,  current-voltage characteristic ,  *band structure
Semi thesaurus term： cap-layer ,  Schottky接触

JST classification (1)： Photodetectors  (NC03083X)

Terms in the title (5)： キャップ層 ,  β-Ga2O3 ,  単結晶 ,  Au ,  Schottky接触