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J-GLOBAL ID：201102287360246474   Reference number：11A1642542

Alternating current surface photovoltage in thermally oxidized chromium-contaminated n-type silicon wafers

熱酸化したクロム汚染n型珪素ウエハの交流表面光起電力

Author (3)： SHIMIZU Hirofumi (Nihon Univ., Coll. of Engineering, 963-8642, Koriyama, Fukushima, JPN) ,  NAGASE Shintarou (Nihon Univ., Coll. of Engineering, 963-8642, Koriyama, Fukushima, JPN) ,  IKEDA Masanori (Nihon Univ., Coll. of Engineering, 963-8642, Koriyama, Fukushima, JPN)
Material： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Solids and Surfaces)
Volume： 104  Issue： 3  Page： 929-934  Publication year： Sep. 2011 
JST Material Number： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Germany, Federal Republic of (DEU)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： N-type semiconductor ,  *wafer ,  *photovoltage ,  thermal oxidation ,  *surface level ,  chromium oxide ,  *surface photovoltage ,  *Si wafer
Semi thesaurus term： *silicon wafer ,  surface state

JST classification (1)： Electronic structure of surfaces  (BM02080J)

Terms in the title (6)： 熱酸化 ,  クロム ,  汚染 ,  珪素ウエハ ,  交流 ,  表面光起電力