Art

J-GLOBAL ID：201102291232138178   Reference number：11A0823415

Evaluation of crystallinity of poly-Si thin film with surface photovoltage method

表面光電圧法による多結晶シリコン薄膜の結晶性評価

Author (4)： IKEDA MASANORI (日本大 工) ,  SHIMIZU HIROFUMI (日本大 工) ,  TAKAMATSU HIROYUKI (神戸製鋼所) ,  SAKODA NAOKAZU (神戸製鋼所)
Material： 日本大学工学部紀要  (Journal of the College of Engineering, Nihon University)
Volume： 52  Issue： 2  Page： 35-40  Publication year： Mar. 25, 2011 
JST Material Number： G0810A  ISSN： 1343-2885  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *polysilicon ,  crystallinity ,  performance evaluation ,  photoelectric measurement ,  flat panel display ,  *thin film transistor ,  *spectroscopy ,  surface level ,  semiconductor ,  photovoltage ,  band structure ,  optical probe ,  thin film growth ,  surface photovoltaic spectroscopy
Semi thesaurus term： SPVS (spectroscopy)

JST classification (2)： Measurement,testing and reliability of solid-state devices  (NC03040G) ,  Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Terms in the title (6)： 光電 ,  圧 ,  多結晶 ,  シリコン薄膜 ,  結晶性 ,  評価