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J-GLOBAL ID：201102291451552834   Reference number：11A1499056

Solution Growth and Thermoelectric Properties of Single-Phase MnSi_1.75-x

単相MnSi_1.75-xの溶液成長および熱電特性

Author (6)： UDONO H. (Ibaraki Univ., 4-12-1 Nakanarusawa-cho, 316-8511, Hitachi-shi, Ibaraki, JPN) ,  NAKAMORI K. (Ibaraki Univ., 4-12-1 Nakanarusawa-cho, 316-8511, Hitachi-shi, Ibaraki, JPN) ,  TAKAHASHI Y. (Ibaraki Univ., 4-12-1 Nakanarusawa-cho, 316-8511, Hitachi-shi, Ibaraki, JPN) ,  UJIIE Y. (Ibaraki Univ., 4-12-1 Nakanarusawa-cho, 316-8511, Hitachi-shi, Ibaraki, JPN) ,  OHSUGI I. J. (Salesio Polytechnic, 4-6-8 Koyamagaoka, 194-0215, Machida, Tokyo, JPN) ,  IIDA T. (Tokyo Univ. of Sci., 2641 Yamazaki, 278-8510, Noda, Chiba, JPN)
Material： Journal of Electronic Materials  (J Electron Mater)
Volume： 40  Issue： 5  Page： 1165-1170  Publication year： May. 2011 
JST Material Number： D0277B  ISSN： 0361-5235  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicide ,  *solution growth ,  electrical characteristic ,  gallium ,  tin ,  solvent ,  alloy ,  temperature gradient ,  crystal growth ,  solute ,  ingot ,  polyhedron ,  transport coefficient ,  power factor ,  thermal conductivity
Semi thesaurus term： *Seebeck coefficient ,  *manganese silicide ,  *thermoelectric characteristic

JST classification (2)： Thermoelectric devices  (NC03090J) ,  Crystal growth of other inorganic compounds  (BK13060T)

Terms in the title (3)： 単相 ,  溶液成長 ,  熱電特性