Art

J-GLOBAL ID：201102291490854414   Reference number：11A1648375

A 45nm 1Mb Embedded STT-MRAM with Design Techniques to Minimize Read-Disturbance

読取障害を最小化する設計技法を含む45nm 1Mb埋込みSTT-MRAM

Author (11)： KIM Jung Pill (Qualcomm Inc., California, USA) ,  KIM Taehyun (Qualcomm Inc., California, USA) ,  HAO Wuyang (Qualcomm Inc., California, USA) ,  RAO Hari M. (Qualcomm Inc., California, USA) ,  LEE Kangho (Qualcomm Inc., California, USA) ,  ZHU Xiaochun (Qualcomm Inc., California, USA) ,  LI Xia (Qualcomm Inc., California, USA) ,  HSU Wah (Qualcomm Inc., California, USA) ,  KANG Seung H. (Qualcomm Inc., California, USA) ,  MATT Nowak (Qualcomm Inc., California, USA) ,  YU Nick (Qualcomm Inc., California, USA)
Material： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Circuits  (Symposium on VLSI Circuits)
Volume： 2011  Page： 296-297  Publication year： 2011 
JST Material Number： W0767A  ISSN： 2158-5601  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *magnetoresistive random access memory ,  *data reading ,  *fault detection ,  *circuit design ,  interposition ,  decoder ,  equalizer ,  computer program ,  crash recovery ,  semiconductor process
Semi thesaurus term： fault detection ,  macros ,  CMOS process

JST classification (1)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Terms in the title (7)： 読取 ,  障害 ,  最小化 ,  設計 ,  技法 ,  埋込み ,  STT-MRAM