Art

J-GLOBAL ID：201102294247980648   Reference number：11A0926765

Fabrication of Ge Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors with High-Quality Interface by Ultrathin SiO₂/GeO₂ Bilayer Passivation and Postmetallization Annealing Effect of Al

極薄SiO₂/GeO₂二層膜不動態化とAlのメタライゼーション後焼なまし効果による高品質界面を持つGe金属酸化物半導体コンデンサの作製

Author (7)： HIRAYAMA Kana (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  UENO Ryuji (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  IWAMURA Yoshiaki (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  YOSHINO Keisuke (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  WANG Dong (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  YANG Haigui (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  NAKASHIMA Hiroshi (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 50  Issue： 4,Issue 2  Page： 04DA10.1-04DA10.5  Publication year： Apr. 25, 2011 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOS structure ,  annealing(heat treatment) ,  metallization(IC) ,  quality ,  silicon dioxide ,  germanium oxide ,  semiconductor material ,  semiconductor thin film ,  multilayer film ,  *passivation ,  surface treatment ,  insulating film ,  *thin film condenser ,  thin film growth
Semi thesaurus term： high quality ,  *MOS capacitor

JST classification (1)： LCR parts  (NA05030D)

Reference (14)：

• 1) D. Kuzum, T. Krishnamohan, A J Pethe, A. K. Okyay, Y. Oshima, Y Sun, J. P McVittie, P. A. Pianetta, P. C McIntyre, and K C Saraswat IEEE Electron Device Lett. 29 (2008) 328.
• 2) T. Maeda, M. Nishizawa, Y Morita, and S. Takagi Appl Phys Lett 90 (2007) 072911.
• 3) T. Sugawara, Y Oshima, R. Sreemvasan, and P C McIntyre. Appl Phys. Lett. 90 (2007) 112912.
• 4) H. Matsubara, T. Sasada, M Takenaka, and S Takagi: Appl Phys Lett 93 (2008) 032104.
• 5) M. Houssa, G. Pourtois, M Caymax, M Meuris, M. M. Heyns, V. V. Afanas'ev, and A. Stesmans. Appl. Phys Lett. 93 (2008) 161909.

Terms in the title (12)： SiO2 ,  二層膜 ,  不動態化 ,  Al ,  メタライゼーション ,  焼なまし ,  高品質 ,  界面 ,  Ge ,  金属酸化物半導体 ,  コンデンサ ,  作製