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J-GLOBAL ID：201102295947588702   Reference number：11A0190985

Study of the flat band voltage shift of metal/insulator/n-GaN capacitors by annealing

アニーリングによる金属/絶縁体/n-GaNコンデンサのフラットバンド電圧シフトの研究

Author (8)： KIKAWA Junjiroh (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  KANEKO Masamitsu (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  OTAKE Hirotaka (ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN) ,  FUJISHIMA Tatsuya (ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN) ,  CHIKAMATSU Kentaro (ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN) ,  YAMAGUCHI Atsushi (ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN) ,  NANISHI Yasushi (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  NANISHI Yasushi (Seoul National Univ., Seoul, KOR)
Material： Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics  (Phys Status Solidi B Basic Solid State Phys)
Volume： 247  Issue： 7  Page： 1649-1652  Publication year： Jul. 2010 
JST Material Number： C0599A  ISSN： 0370-1972  CODEN： PSSBBD  Document type： Article
Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (7)： アニーリング ,  絶縁体 ,  GaN ,  コンデンサ ,  フラットバンド電圧 ,  シフト ,  研究